Полупроводникови елементи М.Христов 2007г.
Сумата се прибавя директно в кошницата
6.12 €
Полупроводникови елементи М.Христов 2007г.
За повече информация: order@kopiebg.com
СЪДЪРЖАНИЕ
Предговор
Въведение
ГЛАВА 1
ОСНОВНИ СВОЙСТВА НА ПОЛУПРОВОДНИЦИТЕ
1.1. Структура на силициев и германиев атом В
1.2. Енергийни нива в полупроводници ; 9
1.3. Сравнение на полупроводници, проводници и изолатори 10
1.4. Ковапет ни връзки 11
1.5. Формиране на токоносителите в собствен полупроводник '. 12
1.6. Електронен и дупчеетток 14
1.7. Примесни полупроводници 15
1.8. Дрейфово движение на токоносителите 20
1.9. Дрейфов ток 22
1.10. Дифузионно движение. Дифузен ток 25
1.11. Време на живот на неосновниге токоносители 26
1.12. Общ ток в полупроводника 27
ГЛАВА 2
ПОЛУПРОВОДНИКОВИ ДИОДИ
2.1. Процеси в РИ преход при отсъствие на външно напрежение 29
2.2. Условно графично означение на диода 32
2.3. Право включване 33
2.4. Обратно включване 35
2.5. Волтамперна характеристика 36
2.6. Ток на насищане (топлинен ток) 38
2.7. Реална волт-амперна характеристика 39
2.8. Влияние на температурата 42
2.9. Максимално допустими параметри 44
2.10. Пробиви 48
2.11. Товарна права и работна точка 51
2.12. Еквивалентни схеми по постоянен ток 53
2.13. Тестване на диода 55
2.14. Работа на диода при малък променлив сигнал : 56
2.15. Работа на диода в импулсен режим 62
2.16. Видове диоди 64
2.17. Технологични процеси за производство на полупроводникови
елементи с РЦ преход 82
ГЛАВА 3
БИПОЛЯРНИ ТРАНЗИСТОРИ
3.1. Устройство, принцип на действие и основни зависимости 88
3.2. Статични характеристики на биполярните транзистори. Еквивалентни
схеми по постоянен ток в активен режим 101
3.3. Работа на транзистора като усилвател 116
